DRAM

芯片内部 Sip 16-bit DRAM，DDR3 1Gb 最高频率 672MHz 或 DDR2 512Mb 最高频率 504MHz。

• D211BBV/D211DBV Sip DDR2 需要1.8V供电。

• D211BCV/D211DCV/D213ECV Sip DDR3 需要1.5V供电。

• LDO25_OUT为芯片内部LDO(2.5V 50mA)输出，为DRAM模拟部分供电。