功能描述
LDO1x 默认状态
LDO1x 可调范围为 0.90V~1.90V,不同封装芯片表现有两个用途:
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SoC CORE 供电,默认为打开
-
SoC 外设供电,默认为关闭
为了区分 LDO1x 默认状态,通过模拟 PAD LDO1x_EN 悬空或者打线到地做区分,由模拟电路在 3.3V 电源域实现。
用途 | PAD_LDO1x_EN |
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CORE 供电(默认打开) | 悬空(内部已上拉) |
外设供电(默认关闭) | 打线到地 |
CALI RES
校准电阻结构如图所示 ,由 Rb 和 Rc 两部分并联实现
- Rb 基准电阻:提供固定阻值
- Rc 校准电阻:提供可配置的电阻值,通过改变 VAL 改变电阻值,Rc 计算公式如下表所示。
- | - | CAL_VAL | Rb 阻值Ω | Rc 阻值Ω | Rb//Rc 阻值Ω | ||
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模块 | 需求阻值Ω | 默认值 | 理论 | 计算公式 | 理论默认值 | 计算公式 | 理论默认值 |
USB | 200 | 96 | 320.36 | 51257.7/CAL_VAL | 534 | Rb*Rc/(Rb+Rc) | 200 |
PSEN
Process Sensor (PSEN),工艺传感器,用于监测制造工艺下数字电路的频率范围,典型应用如下:
- CP 测试阶段,根据 PSEN 进行分 BIN 操作,典型如分 CPU 1GHz 和 800MHz 两种 DIE。
- 方案应用阶段,根据 PSEN 来进行调频调压,达到降低功耗的目的。
PSEN 工作流程:
图 1. PSEN 工作流程
- 软件配置好测试参数 (RO_SEL, CNT_TIME),打开测试(PSEN_EN=1)。
- PSEN_EN=1 触发数字电路打开 RO_EN,模拟电路 RO 开始振荡工作起来,并进行 16 分频得到低频时钟,用于数字电路计数。
- 数字电路打开 RO_EN 后延迟打开 CNT_EN,CNT 开始计数,CNT_TIME 时间后,自动关闭 CNT_EN,并延时关闭 RO_EN,将 PSEN_EN 清零表示测试完成。
- 软件检测到 PSEN_EN 清零后,读取 CNT_VAL 值为当前 PSEN 的速度。
- 软件重复测试更多的 RO。

FLASH_CFG
芯片内部合封了 FLASH,对合封的 FLASH 进行烧写和读写访问,通过 CFG 子模块实现,包含了 SRCSEL 和 PINMAP 两个模块,如FLASH_CFG 框图所示。
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SRCSEL 用于选择控制来源,有以下三种控制源:
- SPI0
- SPI1
- PINMUX:主要用于进行 FLASH 裸片烧录。
- PINMAP 用于对引脚进行映射,兼容各种 DIE 的出 PIN,分为两组,每组三个引脚:
- PINMAP_012: WP MISO CS → PIN0 PIN1 PIN2
- PINMAP_345: HOLD SCLK MOSI → PIN3 PIN4 PIN5
