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功能描述

LDO1x 默认状态

LDO1x 可调范围为 0.90V~1.90V,不同封装芯片表现有两个用途:

  • SoC CORE 供电,默认为打开

  • SoC 外设供电,默认为关闭

为了区分 LDO1x 默认状态,通过模拟 PAD LDO1x_EN 悬空或者打线到地做区分,由模拟电路在 3.3V 电源域实现。

用途 PAD_LDO1x_EN
CORE 供电(默认打开) 悬空(内部已上拉)
外设供电(默认关闭) 打线到地

CALI RES

校准电阻结构如图所示 ,由 Rb 和 Rc 两部分并联实现

  • Rb 基准电阻:提供固定阻值
  • Rc 校准电阻:提供可配置的电阻值,通过改变 VAL 改变电阻值,Rc 计算公式如下表所示。

- - CAL_VAL Rb 阻值Ω Rc 阻值Ω Rb//Rc 阻值Ω
模块 需求阻值Ω 默认值 理论 计算公式 理论默认值 计算公式 理论默认值
USB 200 96 320.36 51257.7/CAL_VAL 534 Rb*Rc/(Rb+Rc) 200

PSEN

Process Sensor (PSEN),工艺传感器,用于监测制造工艺下数字电路的频率范围,典型应用如下:

  • CP 测试阶段,根据 PSEN 进行分 BIN 操作,典型如分 CPU 1GHz 和 800MHz 两种 DIE。
  • 方案应用阶段,根据 PSEN 来进行调频调压,达到降低功耗的目的。
PSEN 工作流程
  1. 软件配置好测试参数 (RO_SEL, CNT_TIME),打开测试(PSEN_EN=1)。
  2. PSEN_EN=1 触发数字电路打开 RO_EN,模拟电路 RO 开始振荡工作起来,并进行 16 分频得到低频时钟,用于数字电路计数。
  3. 数字电路打开 RO_EN 后延迟打开 CNT_EN,CNT 开始计数,CNT_TIME 时间后,自动关闭 CNT_EN,并延时关闭 RO_EN,将 PSEN_EN 清零表示测试完成。
  4. 软件检测到 PSEN_EN 清零后,读取 CNT_VAL 值为当前 PSEN 的速度。
  5. 软件重复测试更多的 RO。
1. PSEN 工作流程

FLASH_CFG

芯片内部合封了 FLASH,对合封的 FLASH 进行烧写和读写访问,通过 CFG 子模块实现,包含了 SRCSEL 和 PINMAP 两个模块,如FLASH_CFG 框图所示。
  • SRCSEL 用于选择控制来源,有以下三种控制源:
    • SPI0
    • SPI1
    • PINMUX:主要用于进行 FLASH 裸片烧录。
  • PINMAP 用于对引脚进行映射,兼容各种 DIE 的出 PIN,分为两组,每组三个引脚:
    • PINMAP_012: WP MISO CS → PIN0 PIN1 PIN2
    • PINMAP_345: HOLD SCLK MOSI → PIN3 PIN4 PIN5
2. FLASH_CFG 框图