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对于电源系统,芯片需提供以下功能:

  • VDD11_SYS(CPU CORE 电源:1.2V/200mA CPU 600Mhz,1.1V/200mA CPU 504Mhz)。
    1. CPU CORE 电源 VDD11_SYS原理图
  • VCC33_IO(CPU IO 电源:典型3.3V/100mA)。
    2. CPU IO 电源 VCC33_IO原理图
  • VDDQ_DDR(DRAM 电源:1.8V/150mA DDR2,1.5V/150mA DDR3)。
    3. CPU DRAM 电源 VDDQ_DDR 原理图
  • 内置 LDO1X_OUT,外部接1uF电容,可配置输出1.8V/1.5V供DRAM使用,存在转换效率和发热问题,若使用内置LDO,Layout需做好散热。
  • LDO25_OUT、VCC30_ANA供内部模块使用,外部接1uf旁路电容即可。
  • 上下电时序要求
    • VDD11_SYS、VCC33_IO、VCC_PSRAM无上下电时序要求。

    • 复位信号内置约30Kohm上拉电阻和去抖滤波,不使用可直接悬空,若外挂电容建议不超过4.7uF。上电完成后,复位自动释放,并且24MHz晶振起振。