POWER

对于电源系统，可选择以下任一方案：

• 芯片 VCC33_IO（3.3V/ 300mA）采用单3.3 V 供电，VDD11_SYS 和 LDO18 使用内置LDO供电。优点是电路简洁、节省成本；缺点是LDO电源效率低功耗变高。
• 芯片 VCC33_IO（3.3V/ 200mA）和 VDD11_SYS（1.1V/ 200mA） 采用外部DCDC供电，LDO18 使用内置LDO供电。优点是 DCDC 电源效率高功耗降低；缺点是器件多、成本变高。
• 芯片 VCC33_IO（3.3V/ 200mA）、 VDD11_SYS（1.1V/ 200mA） 和 LDO18（1.8V/ 200mA）全都使用外部DCDC供电。优点是发热最小、功耗最小；缺点是成本最高。

  

  • 内置LDO18，芯片复位默认关闭，SDK 可配置输出1.8V供PSRAM使用，LDO18 引脚外部接 10uF + 0.1uF 旁路电容即可。

  • 内置LDO1x，芯片复位默认开启，SDK 可配置输出 1.1V 供 VDD11_SYS 使用，VDD11_SYS 引脚外挂 10uF + 0.1uF 旁路电容即可。

  • 内置LDO25，默认开启，供内部模拟模块使用，外部接1uf旁路电容即可。

• 上下电时序要求

  • 无上下电时序要求。

  • 内置24M OSC，无需外挂晶振。

  • 复位信号内置约30 KΩ上拉电阻和去抖滤波，不使用可直接悬空，若外挂电容建议不超过4.7uF。上电完成后，复位自动释放。