PSRAM
芯片内部默认 Sip 64 Mb PSRAM，最高频率 200 MHz DDR。
- LDO18 为芯片内部 1.8 V LDO 输出，可配置电压为PSRAM 供电。
- PSRAM 功耗不超过 1.8 V/ 50 mA。
注：
- 若使用 LDO18 为 PSRAM 供电，会存在转换效率和发热问题，需注意 GND 焊盘加强散热，散热铜皮完整。
- 若产品方案对发热和功耗敏感，建议 PSRAM 采用外置 DCDC 供电。